IRF7319TR和IRF7319TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7319TR IRF7319TRPBF IRF7319

描述 SOIC N+P 30V 6.5A/4.9AINFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VSOIC N+P 30V 6.5A/4.9A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电流 6.50 A - -

极性 N+P N+P N+P

产品系列 IRF7319 - -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.90 A 6.5A/4.9A 6.5A/4.9A

上升时间 13.0 ns - -

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.023 Ω -

耗散功率 - 2 W -

阈值电压 - 1 V -

输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2 W -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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