对比图
型号 IXFH50N60P3 IXFT50N60P3 IXFK48N60P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-264-3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 1.04 W 1040W (Tc) 830 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 48.0 A
上升时间 20 ns 20 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 8860pF @25V(Vds)
下降时间 17 ns 17 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 830W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 48.0 A
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.16 Ω - 0.135 Ω
输入电容 - - 8.86 nF
栅电荷 - - 150 nC
漏源击穿电压 - - 600 V
额定功率(Max) - - 830 W
长度 16.26 mm 16.05 mm 19.96 mm
宽度 5.3 mm 14 mm 5.13 mm
高度 21.46 mm 5.1 mm 26.16 mm
封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15