IXTA32N20T和IXTP32N20T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA32N20T IXTP32N20T

描述 IXTA Series Single N-Channel 200V 72mOhm 200W Power Mosfet - TO-263TO-220 N-CH 200V 32A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-220-3

极性 - N-CH

耗散功率 200W (Tc) 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 32A

上升时间 - 18 ns

输入电容(Ciss) 1760pF @25V(Vds) 1760pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 200 W

下降时间 - 31 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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