CY7C1412BV18-250BZXC和CY7C1412KV18-250BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1412BV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZI CY7C1412KV18-250BZXI

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1381D 系列 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 2.9 V QDR® II SRAM- FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 18 18

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 - - 610 mA

时钟频率 - - 250 MHz

存取时间 - - 1 ms

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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