对比图
型号 2N3584 JANTX2N5664
描述 NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE绝对最大额定值（ TC = 25° C除非另有说明） ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
数据手册 --
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
封装 TO-66 TO-66
引脚数 2 3
耗散功率 35 W 2.5 W
击穿电压(集电极-发射极) - 200 V
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 5V
额定功率(Max) - 2.5 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW
极性 NPN -
直流电流增益(hFE) 100 -
封装 TO-66 TO-66
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
材质 - Silicon
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 -
ECCN代码 - EAR99