对比图
型号 IXFH26N60Q STW20NM60FD SPW35N60CFD
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N60Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 600 V, 250 mohm, 10 V, 4.5 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsINFINEON SPW35N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 26.0 A 20.0 A 34.0 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.25 Ω 0.26 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 214 W 313 W
阈值电压 4.5 V 4 V 4 V
输入电容 - 1.30 nF 5.06 nF
栅电荷 - 37.0 nC 212 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 20.0 A 34.0 A
上升时间 32 ns 12 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 5060pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 214 W 313 W
下降时间 16 ns 22 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 214W (Tc) 313 W
额定功率 360 W - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 - 15.75 mm 16.13 mm
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.21 mm
高度 - 20.15 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
重量 6 g - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99