对比图
型号 IPB041N04NGATMA1 NP82N04MUG-S18-AY NP82N04NUG-S18-AY
描述 D2PAK N-CH 40V 80AN沟道 40V 82ATrans MOSFET N-CH 40V 82A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-263-3 TO-220 TO-262-3
引脚数 3 - -
极性 N-CH N-CH -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 82A -
耗散功率 94W (Tc) - 1.8W (Ta), 143W (Tc)
上升时间 3.8 ns - 102 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @20V(Vds) - 9750pF @25V(Vds)
下降时间 4.8 ns - 13 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 94W (Tc) - 1.8W (Ta), 143W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-220 TO-262-3
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tube, Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - 175℃ (TJ)