2N3821和JAN2N3821

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3821 JAN2N3821

描述 技术参数 TECHNICAL DATAJAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

封装 TO-72 TO-72

安装方式 Through Hole -

引脚数 - 4

封装 TO-72 TO-72

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

漏源极电压(Vds) 50 V -

击穿电压 50 V -

输入电容(Ciss) 6pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台