对比图
型号 2SJ412 IRF9630STRR IRF9530STRLPBF
描述 2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关 斩波稳压 DC/DC转换 电机驱动MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAKMOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 - 3W (Ta), 74W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 200 V 100 V
输入电容(Ciss) 1100pF @10V(Vds) 700pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 3W (Ta), 74W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
额定电压(DC) -100 V - -
额定电流 -16.0 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 210 mΩ - -
极性 P-CH - -
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A - -
上升时间 18.0 ns - -
额定功率(Max) 60 W - -
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free