IRHMS57163SE和IRHMS57163SEPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRHMS57163SE IRHMS57163SEPBF

描述 TO-254AA N-CH 130V 45ATO-254AA N-CH 130V 45A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-254 TO-254

引脚数 3 -

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 130 V 130 V

连续漏极电流(Ids) 45A 45A

上升时间 125 ns -

输入电容(Ciss) 5510pF @25V(Vds) -

下降时间 50 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 208000 mW -

封装 TO-254 TO-254

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

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