IRFF9130和IRFP9130

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFF9130 IRFP9130 IRFP9131

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 6.5A 3Pin TO-39oTO-3P P-CH 100V 12ATO-3P P-CH 60V 12A

数据手册 ---

制造商 New Jersey Semiconductor Samsung (三星) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-3 TO-3

极性 - P-CH P-CH

漏源极电压(Vds) - 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 12A 12A

封装 - TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

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