对比图
型号 IRL1404Z IRL1404ZPBF AUIRL1404Z
描述 TO-220AB N-CH 40V 200AINFINEON IRL1404ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 200 A, 40 V, 3.1 mohm, 10 V, 2.7 VN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 230 W 200 W
漏源极电阻 - 0.0031 Ω 0.0025 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 230 W 200 W
阈值电压 - 2.7 V 1.4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 200A 200A 180A
上升时间 - 180 ns 180 ns
输入电容(Ciss) - 5080pF @25V(Vds) 5080pF @25V(Vds)
下降时间 - 49 ns 49 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 230000 mW 200W (Tc)
针脚数 - 3 -
输入电容 - 5080 pF -
额定功率(Max) - 230 W -
长度 - 10.66 mm 10.66 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 - 8.77 mm 16.51 mm
封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99