对比图
型号 IRF7463PBF IRF7463TR IRF7463
描述 INFINEON IRF7463PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 2 VSOIC N-CH 30V 14ASOIC N-CH 30V 14A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
引脚数 8 - 8
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 14A 14A 14.0 A
输入电容(Ciss) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 14.0 A
产品系列 - - IRF7463
漏源击穿电压 - - 30.0 V
上升时间 138 ns - 16.0 ns
额定功率 2.5 W - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.008 Ω - -
阈值电压 2 V - -
额定功率(Max) 2.5 W - -
下降时间 6.5 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube - Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -