对比图
型号 IRF7473TR IRF7473TRPBF IRF7473PBF
描述 SOIC N-CH 100V 6.9A晶体管, MOSFET, N沟道, 6.9 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 5.5 VN 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 6.90 A - -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
产品系列 IRF7473 - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 6.90 A 6.9A 6.9A
上升时间 20 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 3180pF @25V(Vds) 3180pF @25V(Vds) 3180pF @25V(Vds)
下降时间 11 ns 11 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.026 Ω
耗散功率 - 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 5.5 V 5.5 V
输入电容 - 3180 pF -
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17