IRFBF20SPBF和IRFBF20STRR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBF20SPBF IRFBF20STRR IRFBF20STRLPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAKPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管

基础参数对比

封装 - TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

封装 - TO-263-3 D2PAK

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

耗散功率 - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 900 V -

输入电容(Ciss) - 490pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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