对比图
型号 BUJ100AT BUJ100LR BUJ100,412
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorNXP BUJ100LR 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFETrans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin SPT Bulk
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - - Through Hole
封装 SC-73 SOT-54 TO-226-3
引脚数 - 3 -
击穿电压(集电极-发射极) 400 V - 400 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 9 @750mA, 5V
额定功率(Max) - - 2 W
针脚数 - 3 -
极性 NPN NPN -
耗散功率 - 2.1 W -
直流电流增益(hFE) - 7 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
集电极最大允许电流 1A - -
封装 SC-73 SOT-54 TO-226-3
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -