对比图
型号 IS42S32200C1-6TL IS42S32200E-7TLI IS42S32200E-7TL
描述 DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 86 86
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
供电电流 - 140 mA 140 mA
工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃
电源电压 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
存取时间 6.00 ns 5.5 ns -
电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - -
时钟频率 166MHz (max) - -
内存容量 64000000 B - -
长度 - 22.22 mm 22.42 mm
宽度 - 10.16 mm 10.29 mm
高度 - 1 mm 1.05 mm
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Design
包装方式 Tray Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 无铅