对比图
型号 2N684 IRFP9130 2N6849
描述 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AFTO-3P P-CH 100V 12A晶体管, MOSFET, P沟道, 6.5 A, -100 V, 0.3 ohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Harris Samsung (三星) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole -
封装 - TO-3 TO-205
引脚数 - - 3
极性 - P-CH -
漏源极电压(Vds) - 100 V -
连续漏极电流(Ids) - 12A -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.3 Ω
耗散功率 - - 25 W
上升时间 - - 140 ns
输入电容(Ciss) - - 800pF @25V(Vds)
下降时间 - - 140 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 25000 mW
封装 - TO-3 TO-205
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 - - Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free
军工级 - - Yes