FZT696BTA和FZT696BTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT696BTA FZT696BTC FZT696B

描述 集成电路FZT696B Series 180V 0.5A NPN SMT Silicon High Gain Transistor - SOT-223SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

额定电压(DC) 180 V 180 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 2 W 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 180 V 180 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 150 @200mA, 5V 150 @200mA, 5V -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

直流电流增益(hFE) 500 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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