BZV55B9V1和TZMB9V1-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55B9V1 TZMB9V1-GS08 TZMB9V1GS08

描述 9.1V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorZener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, MINIMELF-2

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 - SOD-80 DO-213AA

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 - SOD-80 DO-213AA

长度 - 3.5 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.5 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 9.1 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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