IXFV52N30PS和IXTQ52N30P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV52N30PS IXTQ52N30P IXFV52N30P

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDN沟道 300V 52ATrans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 PLUS-220SMD TO-3-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 66 mΩ 66 mΩ

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 400W (Tc) 400 W 400 W

输入电容 - - 3.49 nF

栅电荷 - - 110 nC

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

漏源击穿电压 - 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) - 52A 52.0 A

上升时间 - 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W 400 W

下降时间 - 20 ns 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

封装 PLUS-220SMD TO-3-3 TO-247-3

长度 - 15.8 mm -

宽度 - 4.9 mm -

高度 - 20.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司