IS62WV12816ALL-70BI和IS62WV12816ALL-70BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS62WV12816ALL-70BI IS62WV12816ALL-70BLI

描述 SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65V~2.2V,48 Ball mBGA (6x8 mm)SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65V~2.2V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 BGA-48 BGA

引脚数 - 48

存取时间 70 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 2.2 V -

电源电压(Min) 1.65 V -

位数 - 16

存取时间(Max) - 70 ns

封装 BGA-48 BGA

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - EAR99

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