对比图
型号 FR106 BFR106,215 BFR106
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - SOT-23-3 SOT-23
引脚数 - 3 -
封装 - SOT-23-3 SOT-23
长度 - 3 mm -
宽度 - 1.4 mm -
高度 - 1 mm -
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
频率 - 5000 MHz -
针脚数 - 3 -
极性 - NPN -
耗散功率 - 500 mW -
增益频宽积 - 5000 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -
增益 - 11.5 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 25 @50mA, 9V -
最大电流放大倍数(hFE) - 25 -
额定功率(Max) - 500 mW -
直流电流增益(hFE) - 80 -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 500 mW -
材质 - Silicon -
重量 - 0.003215970116 kg -
工作温度 - 175℃ (TJ) -