对比图
描述 Trans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODETrans RF MOSFET N-CH 1000V 13A 3Pin(3+Tab) TO-264
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 6 3
封装 TO-264-3 ~0.27°C/W TO-264-3
频率 40.68 MHz 40.68 MHz 40.68 MHz
耗散功率 357000 mW 1153000 mW 357000 mW
漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输出功率 150 W 150 W 300 W
增益 16 dB 16 dB 16 dB
输入电容(Ciss) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds) 2000pF @150V(Vds)
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 357000 mW 1153000 mW 357000 mW
额定电压 1000 V 1000 V 1000 V
额定电流 - 13 A -
封装 TO-264-3 ~0.27°C/W TO-264-3
高度 26.49 mm - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Box Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free