对比图
型号 FCPF380N60E IPA60R380P6XKSA1 SPA11N60C3XKSA1
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON IPA60R380P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 VPG-TO220-3-31 整包
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-31
漏源极电阻 0.32 Ω 0.342 Ω 0.34 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 31 W 33 W
阈值电压 2.5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 10.2A 10.6A 11A
上升时间 9 ns 6 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 877pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 31 W 31 W 33 W
下降时间 10 ns 7 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 31W (Tc) 31W (Tc) 33W (Tc)
额定功率 - 31 W -
针脚数 - 3 3
长度 10.36 mm - 10.65 mm
宽度 4.9 mm - 4.85 mm
高度 9.19 mm - 9.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-31
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -