IRF830PBF和STP5N52K3

对比图

型号 IRF830PBF STP5N52K3 IRF830_NL

描述 功率MOSFET Power MOSFET525V,1.2?,4.4A,N沟道功率MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 1.5 Ω 1.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 74 W 70 W -

阈值电压 4 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 525 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.4A 4.5A

上升时间 16 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 74 W 70 W -

下降时间 16 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 74000 mW 70W (Tc) -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 4.50 A - -

额定功率 74 W - -

针脚数 3 - -

输入电容 610 pF - -

栅电荷 38.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -