PBSS303NX和PBSS303NX,115

对比图

型号 PBSS303NX PBSS303NX,115

描述 30 V ， 5.1 NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 30 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorSOT-89 NPN 30V 5.1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-89 SOT-89-3

引脚数 - -

频率 - 130 MHz

极性 NPN NPN

耗散功率 - 2.1 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V

集电极最大允许电流 5.1A 5.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @2A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @0.5A, 2V

额定功率(Max) - 2.1 W

耗散功率(Max) - 2100 mW

额定功率 - -

增益频宽积 - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

封装 SOT-89 SOT-89-3

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free