5418-5和IDT7164S35TPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5418-5 IDT7164S35TPG IDT7164S35TP

描述 Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28,CMOS Static RAM 64K (8K x 8Bit)CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)

数据手册 ---

制造商 Fujitsu (富士通) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP-28 DIP

安装方式 - Through Hole -

封装 DIP DIP-28 DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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