MT47H128M16PK-25EIT:C和MT47H128M16HG-25E:A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H128M16PK-25EIT:C MT47H128M16HG-25E:A MT47H128M16RT-187E:C

描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, FBGA-84DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84DDR DRAM, 128MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - 84 84

封装 FBGA FBGA TFBGA-84

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 0.4 ns 0.35 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA FBGA TFBGA-84

工作温度 - - 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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