对比图
型号 IRF640ST4 IRF640STRRPBF IRF640S
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R功率MOSFET Power MOSFETN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 -
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 180 mΩ 180 mΩ
耗散功率 - 3.1 W 125 W
漏源击穿电压 - - 200 V
上升时间 - 51 ns 27 ns
下降时间 - 36 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 65 ℃
极性 - N-Channel -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
连续漏极电流(Ids) - 18.0 A -
输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -