IRF7306PBF和SP8J3FU6TB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7306PBF SP8J3FU6TB IRF7306TRPBF

描述 INFINEON  IRF7306PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 VSOP P-CH 30V 3.5AINFINEON  IRF7306TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.1 ohm, -10 V, -1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

额定功率 2 W - 2 W

通道数 2 - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.1 Ω 0.165 Ω 0.1 Ω

极性 Dual P-Channel P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 1.4 W 2 W 2 W

阈值电压 1 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.50 A 3.6A

上升时间 17 ns 15 ns 17 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 490pF @10V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

下降时间 18 ns 10 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 2 W

输入电容 - - 440 pF

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4.4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

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