FQB17P10和FQB17P10TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB17P10 FQB17P10TM

描述 100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFETP沟道 100V 16.5A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

极性 P-CH P-Channel

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 16.5A 16.5 A

额定电压(DC) - -100 V

额定电流 - -16.5 A

漏源极电阻 - 190 mΩ

耗散功率 - 3.75W (Ta), 100W (Tc)

栅源击穿电压 - ±30.0 V

输入电容(Ciss) - 1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.75 W

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 100W (Tc)

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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