FDS4070N3和FDS4070N7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS4070N3 FDS4070N7 FDMS8460

描述 40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFET40V N沟道PowerTrench MOSFET的 40V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS8460  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 15.3 A 15.3 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 7.5 mΩ 7.00 mΩ 0.002 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 3 W 104 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 15.3 A 15.3 A 25A

上升时间 12 ns 12 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 2819pF @20V(Vds) 2819pF @20V(Vds) 7205pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 3 W 2.5 W

下降时间 29 ns 29 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 104W (Tc)

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.9 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 6 mm

高度 1.75 mm 1.75 mm 1.05 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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