IDT71016S20YI和IDT71016S20YI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71016S20YI IDT71016S20YI8

描述 CMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)IC SRAM 1Mbit 20NS 44SOJ

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-44 BSOJ-44

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

封装 BSOJ-44 BSOJ-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准

ECCN代码 3A991 3A991

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