IS43LR32640A-5BLI和IS43LR32640A-5BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32640A-5BLI IS43LR32640A-5BLI-TR

描述 IC DDR MOBILE 2GB 200MHz 90BGADRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 200MHz 90 ball BGA

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 WBGA-90 WBGA-90

供电电流 170 mA -

位数 32 32

存取时间 5 ns 5 ns

存取时间(Max) 5ns, 8ns 5ns, 8ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) - 1.95 V

电源电压(Min) - 1.7 V

封装 WBGA-90 WBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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