对比图
型号 TPS1100PWR TPS1100PWRG4 TPS1100PW
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
通道数 1 - 1
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.504 W - 0.504 W
漏源极电压(Vds) 15 V -15.0 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 400 mA 1.27A 1.27A
上升时间 10 ns - 10 ns
额定功率(Max) - - 504 mW
下降时间 2 ns - 2 ns
工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃
耗散功率(Max) 504mW (Ta) - 504mW (Ta)
额定电压(DC) -15.0 V - -
额定电流 -1.27 mA - -
漏源极电阻 180 mΩ - -
漏源击穿电压 15 V - -
宽度 3 mm - 3 mm
高度 1.2 mm - 1.05 mm
封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8
长度 4.4 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free