对比图
型号 STP30NM60ND STW30NM60ND STB30NM60ND
描述 N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)N沟道600 V ， 0.11 Ω ， 25 A FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管）的TO- 220，TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ，TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-263-3
耗散功率 190W (Tc) 190 W 190 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @50V(Vds) 2800pF @50V(Vds) 2800pF @50V(Vds)
下降时间 75 ns 75 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 190W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
极性 - N-CH N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 25A 12.5 A
额定功率(Max) - 190 W 190 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 130 mΩ
漏源击穿电压 - - 600 V
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free