AUIRFR5505和IRFR5505TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFR5505 IRFR5505TRPBF IRFU5505PBF

描述 INFINEON  AUIRFR5505  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -2 VINFINEON  IRFR5505TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 VINFINEON  IRFU5505PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 18 A, -55 V, 110 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

额定功率 57 W 57 W 57 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.11 Ω 0.11 Ω 0.11 Ω

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 57 W 57 W 57 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 18A 18A 18A

上升时间 28 ns 28 ns 28 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc)

输入电容 - 650 pF -

额定功率(Max) - 57 W -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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