1N486B和JAN1N486B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N486B JAN1N486B

描述 高电导率DO- 35二极管 High Conductance DO-35 DiodesDiode Switching 225V 0.2A 2Pin DO-35

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 DO-35 DO-35

正向电压 1 V 1 V

耗散功率 - 500 mW

正向电流 200 mA 200 mA

正向电流(Max) 0.2 A 0.2 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW

封装 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

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