对比图
型号 IRFR3806PBF IRFR3806TRPBF IRFR2905ZPBF
描述 INFINEON IRFR3806PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 20 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRFR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 71 W 71 W 110 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0126 Ω 0.0126 Ω 0.0111 Ω
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 71 W 71 W 110 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 43A 43A 59A
上升时间 40 ns 40 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1150pF @50V(Vds) 1150pF @50V(Vds) 1380pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 71 W -
下降时间 47 ns 47 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 71W (Tc) 71W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - -
输入电容 1150pF @50V - -
漏源击穿电压 60 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99