对比图
型号 IRF7104PBF SI4943BDY-T1-E3 IRF9953TRPBF
描述 Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 8Pin SOIC Tube双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETHEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.4 Ω 19 mΩ 0.165 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel P-CH
耗散功率 2 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -2.30 A -8.40 A 2.3A
上升时间 16.0 ns 10 ns 14 ns
反向恢复时间 - 55 ns -
正向电压(Max) - 1.2 V -
额定功率(Max) 2 W 1.1 W 2 W
下降时间 - 60 ns 6.9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -2.30 A - -
产品系列 IRF7104 - -
漏源击穿电压 -20.0 V - -
热阻 62.5℃/W (RθJA) - -
输入电容(Ciss) 290pF @15V(Vds) - 190pF @15V(Vds)
额定功率 - - 2 W
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 1 V
输入电容 - - 190 pF
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
宽度 - - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99