对比图
型号 BSC150N03LDG SI7842DP-T1-E3 SIR770DP-T1-GE3
描述 30V,20A,N沟道功率MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/RSiR770DP Series 30V 0.021Ω SMT Dual N-Channel MOSFET - PowerPAK SO-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 - SO-8 SO-8
极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 26.0 W 1.40 W 17.8 W
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
上升时间 - - 10 ns
输入电容(Ciss) - - 900pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 1.4 W 17.8 W
下降时间 - - 8 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
漏源极电阻 - 30.0 mΩ -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 6.30 A -
长度 - - 6.15 mm
宽度 - - 5.15 mm
高度 - - 1.04 mm
封装 - SO-8 SO-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -