AUIRFB4410和IRFB4410

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFB4410 IRFB4410 IRFB4410PBF

描述 INFINEON  AUIRFB4410  晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 2 VTO-220AB N-CH 100V 96AMOSFET,Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 200 W - 250 W

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.008 Ω - 0.008 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 200 W 250W (Tc) 250 W

阈值电压 2 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 88A 96A 88A

上升时间 80 ns - 80 ns

输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds) 5150pF @50V(Vds)

下降时间 50 ns - 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 250W (Tc) 200000 mW

额定功率(Max) - - 200 W

长度 10.67 mm - 10.66 mm

宽度 4.83 mm - 4.82 mm

高度 16.51 mm - 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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