对比图
描述 Trans RF BJT NPN 18V 25A 4Pin 2-13B1A射频与微波晶体管短波单边带APLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Screw Screw -
引脚数 - 4 -
封装 - M-174 -
耗散功率 - 290000 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 290000 mW -
封装 - M-174 -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -