2SC2879和MS1051

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC2879 MS1051 HF100-12

描述 Trans RF BJT NPN 18V 25A 4Pin 2-13B1A射频与微波晶体管短波单边带APLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Silicon, NPN, 0.5INCH, FM-4

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Microsemi (美高森美) Advanced Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

引脚数 - 4 -

封装 - M-174 -

耗散功率 - 290000 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 290000 mW -

封装 - M-174 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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