IRL520NS和IRL520NSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL520NS IRL520NSTRLPBF IRL520NSPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 10A晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.18 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRL520NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 10.0 A - -

漏源极电阻 180 mΩ (max) 0.18 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8 W 48 W

产品系列 IRL520NS - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A 10A

上升时间 35.0 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3800 mW

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 2 V 2 V

输入电容 - 440 pF -

额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W

下降时间 - 22 ns 22 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 3.8 W

通道数 - - 1

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 - 9.65 mm 10.67 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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