70V658S12BCI和70V658S12BF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V658S12BCI 70V658S12BF IDT70V658S12BC

描述 Dual-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256IC SRAM 2Mbit 12NS 208CABGA高速3.3V 64K ×36异步双端口静态RAM HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 256 208 -

封装 CABGA-256 LFBGA-208 -

存取时间 12 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V -

电源电压(Max) 3.45 V - -

电源电压(Min) 3.15 V - -

长度 17 mm 15.0 mm -

宽度 17 mm 15.0 mm -

高度 1.4 mm - -

封装 CABGA-256 LFBGA-208 -

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - 3A991

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台