JANS2N2222AUA和JANSF2N2222AUA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N2222AUA JANSF2N2222AUA

描述 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UABJT( BiPolar Junction Transistor)

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 4 -

封装 UA SMD-4

安装方式 - Surface Mount

耗散功率 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 650 mW

封装 UA SMD-4

材质 Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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