MJL21193G和MJL21195G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJL21193G MJL21195G MJL21193

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJL21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 200 W, 16 A, 75 hFEON SEMICONDUCTOR  MJL21195G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 8 hFE 新硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

额定电压(DC) -250 V -250 V -250 V

额定电流 -16.0 A -16.0 A -16.0 A

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @8A, 5V 25 @8A, 5V 25 @8A, 5V

额定功率(Max) 200 W 200 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 200000 mW

频率 4 MHz 4 MHz -

针脚数 3 3 -

耗散功率 200 W 200 W -

最大电流放大倍数(hFE) 75 100 -

直流电流增益(hFE) 75 8 -

热阻 0.7℃/W (RθJC) - -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

长度 20.3 mm 20.3 mm -

宽度 5.3 mm 5.3 mm -

高度 29 mm 26.4 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2016/06/20 2016/06/20 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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