对比图
型号 AUIRLR3114ZTR IRLR3114ZTRPBF AUIRLR3114Z
描述 DPAK N-CH 40V 130AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON AUIRLR3114Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0039 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 140 W 140 W 140 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0049 Ω 0.0039 Ω
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 - 140 W 140 W
阈值电压 - 2.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 130A 130 A, 130 mA 130A
上升时间 140 ns 140 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 3810pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds) 3810pF @25V(Vds)
下降时间 50 ns 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140000 mW 140W (Tc) 140W (Tc)
通道数 1 1 -
产品系列 - IRLR3114Z -
漏源击穿电压 - 40 V -
额定功率(Max) - 140 W -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 7.49 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17