IS43DR16320C-3DBLI-TR和MT47H32M16HR-3:F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16320C-3DBLI-TR MT47H32M16HR-3:F

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin TW-BGA T/RDRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84Pin FBGA Tray

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-84 TFBGA-84

安装方式 Surface Mount -

引脚数 84 -

工作电压 - 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

供电电流 250 mA -

位数 16 -

存取时间 450 ps -

存取时间(Max) 0.45 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 BGA-84 TFBGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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